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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR600200CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR600200CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR600200CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR600200CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR600150CT thru MBR600200CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 238

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Anzahl

Spezifikation

MBR600200CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 920 mV @ 300 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 mA @ 200 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 300A  
Grundproduktnummer MBR600200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR600200CT.

Produkteigenschaften MBR600200CT MBR600100CT MBR60030CT MBR60060CT
Artikelnummer MBR600200CT MBR600100CT MBR60030CT MBR60060CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Serie - - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 mA @ 200 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V 100 V 30 V 60 V
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 300A 300A 300A 300A
Grundproduktnummer MBR600200 MBR600100 MBR60030 MBR60060
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 920 mV @ 300 A 880 mV @ 300 A 750 mV @ 300 A 800 mV @ 300 A

MBR600200CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR600200CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR600200CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR600150CT thru MBR600200CTR.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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