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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MUR20060CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MUR20060CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MUR20060CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MUR20040CT thru 20060CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 433

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Anzahl

Spezifikation

MUR20060CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MUR20060CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MUR20060CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 50 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 110 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A  
Grundproduktnummer MUR20060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MUR20060CT.

Produkteigenschaften MUR20060CT MUR20020CT MUR2020CT MUR20020CTR
Artikelnummer MUR20060CT MUR20020CT MUR2020CT MUR20020CTR
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Good-Ark Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 50 A 1.3 V @ 100 A 1.1 V @ 10 A 1.3 V @ 100 A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 15 µA @ 200 V 25 µA @ 50 V
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220-3 Twin Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 110 ns 75 ns 35 ns 75 ns
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A 100A 10A 100A
Grundproduktnummer MUR20060 MUR20020 - MUR20020
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode
Technologie Standard Standard Standard Standard
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220-3 Twin Tower
Serie - - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 200 V 200 V 200 V
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C

MUR20060CT Datenblatt PDF

Laden Sie MUR20060CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MUR20060CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MUR20040CT thru 20060CTR.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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