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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryGD25LQ128EWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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GD25LQ128EWIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25LQ128EWIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25LQ128EWIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27203

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Anzahl

Spezifikation

GD25LQ128EWIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ128EWIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ128EWIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 60µs, 2.4ms  
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V  
Technologie FLASH - NOR  
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (5x6)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 128Mbit  
Speicherorganisation 16M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 120 MHz  
Grundproduktnummer GD25LQ128  
Zugriffszeit 7 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIGR.

Produkteigenschaften GD25LQ128EWIGR GD25LQ16CTIGR GD25LQ128DSIGR GD25LQ16C8IGR
Artikelnummer GD25LQ128EWIGR GD25LQ16CTIGR GD25LQ128DSIGR GD25LQ16C8IGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 60µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms 2.4ms 50µs, 2.4ms
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-XFLGA Exposed Pad
Zugriffszeit 7 ns - - -
Serie - - - -
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2.1V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2.1V
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (5x6) 8-SOP 8-SOP 8-LGA
Speicherorganisation 16M x 8 2M x 8 16M x 8 2M x 8
Technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Grundproduktnummer GD25LQ128 GD25LQ16 GD25LQ128 GD25LQ16
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Speichergröße 128Mbit 16Mbit 128Mbit 16Mbit
Uhrfrequenz 120 MHz 104 MHz 120 MHz 104 MHz
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O

GD25LQ128EWIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25LQ128EWIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25LQ128EWIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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