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GD25LQ32DNIGR Image
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GD25LQ32DNIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25LQ32DNIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25LQ32DNIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42250

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Spezifikation

GD25LQ32DNIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ32DNIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ32DNIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 2.4ms  
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V  
Technologie FLASH - NOR  
Supplier Device-Gehäuse 8-USON (4x3)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 32Mbit  
Speicherorganisation 4M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 120 MHz  
Grundproduktnummer GD25LQ32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DNIGR.

Produkteigenschaften GD25LQ32DNIGR GD25LQ32ESIGR GD25LQ32DLIGR GD25LQ256DWIGR
Artikelnummer GD25LQ32DNIGR GD25LQ32ESIGR GD25LQ32DLIGR GD25LQ256DWIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Speichergröße 32Mbit 32Mbit 32Mbit 256Mbit
Grundproduktnummer GD25LQ32 GD25LQ32 GD25LQ32 GD25LQ256
Uhrfrequenz 120 MHz 133 MHz 120 MHz 120 MHz
Supplier Device-Gehäuse 8-USON (4x3) 8-SOP 10-WLCSP 8-WSON (5x6)
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 2.4ms 60µs, 2.4ms 2.4ms 2.4ms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-UDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 10-XFBGA, WLCSP 8-WDFN Exposed Pad
Speicherorganisation 4M x 8 4M x 8 4M x 8 32M x 8
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O, QPI SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Serie - - - -

GD25LQ32DNIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25LQ32DNIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25LQ32DNIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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GD25LQ32DNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
32D-GD25LQ32DNIGR

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