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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryGD25LQ64EWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

GD25LQ64EWIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25LQ64EWIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25LQ64EWIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
64MBIT, 1.8V, WSON8 6*5MM, INDUS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36667

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Spezifikation

GD25LQ64EWIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ64EWIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LQ64EWIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 60µs, 2.4ms  
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V  
Technologie FLASH - NOR (SLC)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (5x6)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 64Mbit  
Speicherorganisation 8M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 133 MHz  
Zugriffszeit 6 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWIGR.

Produkteigenschaften GD25LQ64EWIGR GD25LQ64CVIGR GD25LQ80CEIGR GD25LQ80CTIG
Artikelnummer GD25LQ64EWIGR GD25LQ64CVIGR GD25LQ80CEIGR GD25LQ80CTIG
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Spannungsversorgung 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2.1V 1.65V ~ 2.1V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Technologie FLASH - NOR (SLC) FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Zugriffszeit 6 ns - - -
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 60µs, 2.4ms 2.4ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (5x6) 8-VSOP 8-USON (2x3) 8-SOP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Speichergröße 64Mbit 64Mbit 8Mbit 8Mbit
Speicherorganisation 8M x 8 8M x 8 1M x 8 1M x 8
Uhrfrequenz 133 MHz 120 MHz 104 MHz 104 MHz

GD25LQ64EWIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25LQ64EWIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25LQ64EWIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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