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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryGD25Q80ETIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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GD25Q80ETIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25Q80ETIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25Q80ETIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 110750

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Anzahl

Spezifikation

GD25Q80ETIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80ETIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80ETIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 70µs, 2ms  
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V  
Technologie FLASH - NOR  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 8Mbit  
Speicherorganisation 1M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 133 MHz  
Grundproduktnummer GD25Q80  
Zugriffszeit 7 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETIGR.

Produkteigenschaften GD25Q80ETIGR GD25Q80EEIGR GD25Q80CWIGR GD25Q80CTIGR
Artikelnummer GD25Q80ETIGR GD25Q80EEIGR GD25Q80CWIGR GD25Q80CTIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 70µs, 2ms 70µs, 2ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Speicherorganisation 1M x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Zugriffszeit 7 ns 7 ns - -
Uhrfrequenz 133 MHz 133 MHz 120 MHz 120 MHz
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Speichergröße 8Mbit 8Mbit 8Mbit 8Mbit
Technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-USON (2x3) 8-WSON (5x6) 8-SOP
Grundproduktnummer GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

GD25Q80ETIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25Q80ETIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25Q80ETIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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