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GD25S512MDYIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller Artikelnummer
GD25S512MDYIGR
Hersteller
GigaDevice
Allelco Artikelnummer
32D-GD25S512MDYIGR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
Product Selection Guide 2023.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6507

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Anzahl

Spezifikation

GD25S512MDYIGR Tech -Spezifikationen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GigaDevice  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 50µs, 2.4ms  
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V  
Technologie FLASH - NOR  
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (6x8)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 512Mbit  
Speicherorganisation 64M x 8  
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O  
Speicherformat FLASH  
Uhrfrequenz 104 MHz  
Grundproduktnummer GD25S512  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR.

Produkteigenschaften GD25S512MDYIGR GD25WD20CTIG GD25WD80CTIG GD25S512MDFIGR
Artikelnummer GD25S512MDYIGR GD25WD20CTIG GD25WD80CTIG GD25S512MDFIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (6x8) 8-SOP 8-SOP 16-SOP
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Speicherorganisation 64M x 8 256K x 8 1M x 8 64M x 8
Speichergröße 512Mbit 2Mbit 8Mbit 512Mbit
Technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 50µs, 2.4ms - - 50µs, 2.4ms
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Speicherformat FLASH FLASH FLASH FLASH
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Uhrfrequenz 104 MHz - - 104 MHz
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Grundproduktnummer GD25S512 GD25WD20 GD25WD80 GD25S512

GD25S512MDYIGR Datenblatt PDF

Laden Sie GD25S512MDYIGR PDF -Datenblätter und GigaDevice Semiconductor (HK) Limited -Dokumentation für GD25S512MDYIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited herunter.

Datenblätter
Product Selection Guide 2023.pdf

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  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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GD25S512MDYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
32D-GD25S512MDYIGR

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