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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75309D3
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HUF75309D3 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
HUF75309D3
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75309D3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
HUF75309D3.pdf
vorrätig: 5400

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Spezifikation

HUF75309D3 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - HUF75309D3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - HUF75309D3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation HUF75309D3.

Produkteigenschaften HUF75309D3 HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75307D3ST
Artikelnummer HUF75309D3 HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75307D3ST
Hersteller Harris Corporation onsemi onsemi Harris Corporation
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 55W (Tc) 93W (Tc) 45W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V 24 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK TO-220-3 TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Paket Bulk Tube Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 17A, 10V 70mOhm @ 19A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 19A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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HUF75309D3

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