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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76139S3
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HUF76139S3 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
HUF76139S3
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76139S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
HUF76139S3.pdf
vorrätig: 36274

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Spezifikation

HUF76139S3 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - HUF76139S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - HUF76139S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation HUF76139S3.

Produkteigenschaften HUF76139S3 HUF76145S3S HUF76137P3 HUF76143S3ST
Artikelnummer HUF76139S3 HUF76145S3S HUF76137P3 HUF76143S3ST
Hersteller Harris Corporation Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) TO-263AB TO-220AB TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - UltraFET® -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 270W (Tc) 145W (Tc) 225W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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