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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFF221
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFF221 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
IRFF221
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IRFF221
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AF Metal Can
Datenblatt
IRFF221.pdf
vorrätig: 32764

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Anzahl

Spezifikation

IRFF221 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - IRFF221 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - IRFF221

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation IRFF221.

Produkteigenschaften IRFF221 IRFF433 IRFF131 IRFD9220PBF
Artikelnummer IRFF221 IRFF433 IRFF131 IRFD9220PBF
Hersteller Harris Corporation Harris Corporation International Rectifier Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 2.25A (Tc) 8A (Tc) 560mA (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 450 V 80 V 200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 25W (Tc) - 1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V - 15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V 2Ohm @ 1.5A, 10V - 1.5Ohm @ 340mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - 4V @ 250µA
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V - 340 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) 4-HVMDIP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paket Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V

Lieferung

Lieferzeit

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  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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