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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDD408SI
IXDD408SI Image
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IXDD408SI - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXDD408SI
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDD408SI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IXDD408SI.pdf
vorrätig: 9480

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Spezifikation

IXDD408SI Tech -Spezifikationen
IXYS - IXDD408SI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXDD408SI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 25V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 14ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 8A, 8A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IXDD408  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXDD408SI.

Produkteigenschaften IXDD408SI IXDD609PI IXDD414PI IXDD414CI
Artikelnummer IXDD408SI IXDD609PI IXDD414PI IXDD414CI
Hersteller IXYS IXYS Integrated Circuits Division IXYS IXYS
Spannungsversorgung 4.5V ~ 25V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 14ns, 15ns 22ns, 15ns 25ns, 22ns 25ns, 22ns
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) TO-220-5
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3.5V 0.8V, 3V 0.8V, 3.5V 0.8V, 3.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-DIP 8-DIP TO-220-5
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IXDD408 IXDD609 IXDD414 IXDD414
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Ladestrom Single Single Single Single
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 8A, 8A 9A, 9A 14A, 14A 14A, 14A
Paket Tube Tube Tube Tube

IXDD408SI Datenblatt PDF

Laden Sie IXDD408SI PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXDD408SI - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 15/Jun/2010.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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