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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDI602PI
IXDI602PI Image
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IXDI602PI - IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller Artikelnummer
IXDI602PI
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDI602PI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
IXDx602.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60950

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Anzahl

Spezifikation

IXDI602PI Tech -Spezifikationen
IXYS Integrated Circuits Division - IXDI602PI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Integrated Circuits Division - IXDI602PI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V  
Supplier Device-Gehäuse 8-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IXDI602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Integrated Circuits Division IXDI602PI.

Produkteigenschaften IXDI602PI IXDI609CI IXDI602SI IXDI614PI
Artikelnummer IXDI602PI IXDI609CI IXDI602SI IXDI614PI
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXDI602 IXDI609 IXDI602 IXDI614
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns 22ns, 15ns 7.5ns, 6.5ns 25ns, 18ns
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 9A, 9A 2A, 2A 14A, 14A
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Spannungsversorgung 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Supplier Device-Gehäuse 8-DIP TO-220-5 8-SOIC-EP 8-DIP
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting
Serie - - - -
Ladestrom Independent Single Independent Single
Anzahl der Treiber 2 1 2 1
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) TO-220-5 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 8-DIP (0.300", 7.62mm)

IXDI602PI Datenblatt PDF

Laden Sie IXDI602PI PDF -Datenblätter und IXYS Integrated Circuits Division -Dokumentation für IXDI602PI - IXYS Integrated Circuits Division herunter.

HTML -Datenblatt
IXDx602.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IXDI602PI

IXYS Integrated Circuits Division
32D-IXDI602PI

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