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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIXDN509SIA
IXDN509SIA Image
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IXDN509SIA - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXDN509SIA
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXDN509SIA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IXDI509, IXDN509.pdf
vorrätig: 9870

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Anzahl

Spezifikation

IXDN509SIA Tech -Spezifikationen
IXYS - IXDN509SIA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXDN509SIA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 30V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 23ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IXDN509  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXDN509SIA.

Produkteigenschaften IXDN509SIA IXDN502SIA IXDN414PI IXDN602SI
Artikelnummer IXDN509SIA IXDN502SIA IXDN414PI IXDN602SI
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS Integrated Circuits Division
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V 0.8V, 3V 0.8V, 3.5V 0.8V, 3V
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Ladestrom Single Independent Single Independent
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 9A, 9A 2A, 2A 14A, 14A 2A, 2A
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXDN509 IXDN502 IXDN414 IXDN602
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-DIP 8-SOIC-EP
Spannungsversorgung 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 1 2 1 2
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 23ns 7.5ns, 6.5ns 22ns, 20ns 7.5ns, 6.5ns
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side

IXDN509SIA Datenblatt PDF

Laden Sie IXDN509SIA PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXDN509SIA - IXYS herunter.

Datenblätter
IXDI509, IXDN509.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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