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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFA130N10T2
IXFA130N10T2 Image
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IXFA130N10T2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFA130N10T2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFA130N10T2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXFx130N10T2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13909

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Spezifikation

IXFA130N10T2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFA130N10T2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFA130N10T2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA)  
Serie HiPerFET™, TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 65A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFA130  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFA130N10T2.

Produkteigenschaften IXFA130N10T2 IXFA18N60X IXFA10N80P IXFA180N10T2
Artikelnummer IXFA130N10T2 IXFA18N60X IXFA10N80P IXFA180N10T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFA130 IXFA18 IXFA10 IXFA180
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 600 V 800 V 100 V
Serie HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 2050 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 1.5mA 5.5V @ 2.5mA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 65A, 10V 230mOhm @ 9A, 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 320W (Tc) 300W (Tc) 480W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 18A (Tc) 10A (Tc) 180A (Tc)

IXFA130N10T2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFA130N10T2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFA130N10T2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFx130N10T2.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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