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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH40N30Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH40N30Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH40N30Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH40N30Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)40N30Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4660

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Anzahl

Spezifikation

IXFH40N30Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH40N30Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH40N30Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH40N30Q.

Produkteigenschaften IXFH40N30Q IXFH42N50P2 IXFH44N50P IXFH34N65X2
Artikelnummer IXFH40N30Q IXFH42N50P2 IXFH44N50P IXFH34N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 500 V 500 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 2.5mA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 42A (Tc) 44A (Tc) 34A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 3330 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 830W (Tc) 658W (Tc) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFH40 IXFH42 IXFH44 IXFH34
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, PolarP2™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2

IXFH40N30Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH40N30Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH40N30Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)40N30Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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