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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH46N65X2
IXYS
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IXFH46N65X2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH46N65X2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH46N65X2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFH46N65X2 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5518

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Spezifikation

IXFH46N65X2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH46N65X2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH46N65X2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 660W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 46A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH46N65X2.

Produkteigenschaften IXFH46N65X2 IXFH50N20 IXFH40N85X IXFH52N30P
Artikelnummer IXFH46N65X2 IXFH50N20 IXFH40N85X IXFH52N30P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 46A (Tc) 50A (Tc) 40A (Tc) 52A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247 TO-247AD (IXFH)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 23A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 66mOhm @ 500mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 200 V 850 V 300 V
Verlustleistung (max) 660W (Tc) 300W (Tc) 860W (Tc) 400W (Tc)
Grundproduktnummer IXFH46 IXFH50 IXFH40 IXFH52
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 3490 pF @ 25 V

IXFH46N65X2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH46N65X2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH46N65X2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFH46N65X2 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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