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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFP60N25X3
IXFP60N25X3 Image
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IXFP60N25X3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFP60N25X3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFP60N25X3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXFx60N25X3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9113

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Anzahl

Spezifikation

IXFP60N25X3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFP60N25X3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFP60N25X3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB (IXFP)  
Serie HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 320W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFP60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFP60N25X3.

Produkteigenschaften IXFP60N25X3 IXFP4N100PM IXFP22N60P3 IXFP34N65X2M
Artikelnummer IXFP60N25X3 IXFP4N100PM IXFP22N60P3 IXFP34N65X2M
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X2
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 1000 V 600 V 650 V
Verlustleistung (max) 320W (Tc) 40W (Tc) 500W (Tc) 40W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V 1456 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3230 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB (IXFP) TO-220 Isolated Tab TO-220-3 TO-220 Isolated Tab
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA 6V @ 250µA 5V @ 1.5mA 5V @ 1.5mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 2.1A (Tc) 22A (Tc) 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 3.3Ohm @ 2A, 10V 360mOhm @ 11A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFP60 IXFP4N100 IXFP22 IXFP34
Paket Tube Tube Tube Tube

IXFP60N25X3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFP60N25X3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFP60N25X3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFx60N25X3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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