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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelIXGH32N120A3
IXGH32N120A3 Image
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IXGH32N120A3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXGH32N120A3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXGH32N120A3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 75A 300W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXG(H,T)32N120A3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5339

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Anzahl

Spezifikation

IXGH32N120A3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXGH32N120A3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXGH32N120A3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 32A  
Testbedingung -  
Td (ein / aus) bei 25 ° C -  
Schaltenergie -  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD  
Serie GenX3™  
Leistung - max 300 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ PT  
Gate-Ladung 89 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 230 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 75 A  
Grundproduktnummer IXGH32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXGH32N120A3.

Produkteigenschaften IXGH32N120A3 IXGH32N100A3 IXGH32N90B2D1 IXGH30N60C3D1
Artikelnummer IXGH32N120A3 IXGH32N100A3 IXGH32N90B2D1 IXGH30N60C3D1
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Kollektor (Ic) (max) 75 A 75 A 64 A 60 A
Grundproduktnummer IXGH32 IXGH32 IXGH32 IXGH30
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 32A 2.2V @ 15V, 32A 2.7V @ 15V, 32A 3V @ 15V, 20A
IGBT-Typ PT PT PT -
Strom - Collector Pulsed (Icm) 230 A 200 A 200 A 150 A
Testbedingung - 800V, 32A, 10Ohm, 15V 720V, 32A, 5Ohm, 15V 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C - 24ns/385ns 20ns/260ns 16ns/42ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 1000 V 900 V 600 V
Serie GenX3™ GenX3™ HiPerFAST™ GenX3™
Schaltenergie - 2.6mJ (on), 9.5mJ (off) 2.2mJ (off) 270µJ (on), 90µJ (off)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate-Ladung 89 nC 87 nC 89 nC 38 nC
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 300 W 300 W 300 W 220 W
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD

IXGH32N120A3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXGH32N120A3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXGH32N120A3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXG(H,T)32N120A3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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