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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP50N20P
IXTP50N20P Image
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IXTP50N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP50N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP50N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13932

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Anzahl

Spezifikation

IXTP50N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP50N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP50N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP50N20P.

Produkteigenschaften IXTP50N20P IXTP52P10P IXTP44N10T IXTP4N65X2
Artikelnummer IXTP50N20P IXTP52P10P IXTP44N10T IXTP4N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V 50mOhm @ 52A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V 850mOhm @ 2A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 2845 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 300W (Tc) 130W (Tc) 80W (Tc)
Grundproduktnummer IXTP50 IXTP52 IXTP44 IXTP4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 100 V 650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie Polar PolarP™ Trench Ultra X2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 52A (Tc) 44A (Tc) 4A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

IXTP50N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP50N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP50N20P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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