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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ26N60P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ26N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ26N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ26N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(H,Q,T,V)26N60P(S).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5110

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Spezifikation

IXTQ26N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ26N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ26N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 460W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ26N60P.

Produkteigenschaften IXTQ26N60P IXTQ44N50P IXTQ36N50P IXTQ200N06P
Artikelnummer IXTQ26N60P IXTQ44N50P IXTQ36N50P IXTQ200N06P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Grundproduktnummer IXTQ26 IXTQ44 IXTQ36 IXTQ200
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Verlustleistung (max) 460W (Tc) 658W (Tc) 540W (Tc) 714W (Tc)
Serie Polar Polar Polar Polar
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 44A (Tc) 36A (Tc) 200A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 170mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 400A, 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IXTQ26N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ26N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ26N60P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(H,Q,T,V)26N60P(S).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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