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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVMM1000-01P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VMM1000-01P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
VMM1000-01P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-VMM1000-01P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Y3-Li
Datenblatt
VMM1000-01P.pdf
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

VMM1000-01P Tech -Spezifikationen
IXYS - VMM1000-01P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - VMM1000-01P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Y3-Li  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 800A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse Y3-Li  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2355nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1000A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer VMM  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS VMM1000-01P.

Produkteigenschaften VMM1000-01P VMM1500-0075P VMM300-03F VMM15-05
Artikelnummer VMM1000-01P VMM1500-0075P VMM300-03F VMM15-05
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS / Littelfuse
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - 40000pF @ 25V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Grundproduktnummer VMM VMM VMM300 -
Paket Box Box Box -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse Y3-Li Y3-Li Y3-DCB -
Supplier Device-Gehäuse Y3-Li Y3-Li Y3-DCB -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA 4V @ 10mA 4V @ 30mA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1000A 1500A 290A -
Serie - - HiPerFET™ -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2355nC @ 10V 2480nC @ 10V 1440nC @ 10V -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Leistung - max - - 1500W -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 75V 300V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 800A, 10V 0.8mOhm @ 1200A, 10V 8.6mOhm @ 145A, 10V -

VMM1000-01P Datenblatt PDF

Laden Sie VMM1000-01P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für VMM1000-01P - IXYS herunter.

Datenblätter
VMM1000-01P.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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