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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryIS45S16100E-7TLA1
IS45S16100E-7TLA1 Image
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IS45S16100E-7TLA1 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller Artikelnummer
IS45S16100E-7TLA1
Hersteller
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Allelco Artikelnummer
32D-IS45S16100E-7TLA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
detaillierte Beschreibung
Verpackung
50-TSOP (0.400', 10.16mm Width)
Datenblatt
IS42S16100E, IS45S16100E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5290

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Anzahl

Spezifikation

IS45S16100E-7TLA1 Tech -Spezifikationen
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16100E-7TLA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16100E-7TLA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V  
Technologie SDRAM  
Supplier Device-Gehäuse 50-TSOP II  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 50-TSOP (0.400', 10.16mm Width)  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 16Mbit  
Speicherorganisation 1M x 16  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 143 MHz  
Grundproduktnummer IS45S16100  
Zugriffszeit 5.5 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1.

Produkteigenschaften IS45S16100E-7TLA1 IS43TR85120B-125KBLI IS45S16160D-7BLA1 IS43TR85120BL-125KBLI-TR
Artikelnummer IS45S16100E-7TLA1 IS43TR85120B-125KBLI IS45S16160D-7BLA1 IS43TR85120BL-125KBLI-TR
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Supplier Device-Gehäuse 50-TSOP II 78-TWBGA (8x10.5) 54-TFBGA (8x13) 78-TWBGA (8x10.5)
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 95°C (TC) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 95°C (TC)
Speicherorganisation 1M x 16 512M x 8 16M x 16 512M x 8
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Serie - - - Automotive, AEC-Q100
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V 1.425V ~ 1.575V 3V ~ 3.6V 1.283V ~ 1.45V
Grundproduktnummer IS45S16100 - IS45S16160 IS43TR85120
Verpackung / Gehäuse 50-TSOP (0.400', 10.16mm Width) 78-TFBGA 54-TFBGA 78-TFBGA
Speichergröße 16Mbit 4Gbit 256Mbit 4Gbit
Speicherschnittstelle Parallel Parallel Parallel Parallel
Uhrfrequenz 143 MHz 800 MHz 143 MHz 800 MHz
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - 15ns - 15ns
Zugriffszeit 5.5 ns 20 ns 5.4 ns 20 ns
Technologie SDRAM SDRAM - DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Paket Tray Bulk Tray Tape & Reel (TR)
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM

IS45S16100E-7TLA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IS45S16100E-7TLA1 PDF -Datenblätter und ISSI, Integrated Silicon Solution Inc -Dokumentation für IS45S16100E-7TLA1 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc herunter.

PCN -Teilstatusänderung
2.73KHz.pdf
Datenblätter
IS42S16100E, IS45S16100E.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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