THGBMDG5D1LBAIT Tech -Spezifikationen
Toshiba Memory America, Inc. - THGBMDG5D1LBAIT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Memory America, Inc. - THGBMDG5D1LBAIT
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
---|---|---|
Hersteller | Kioxia America, Inc. | |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V | |
Technologie | FLASH - NAND | |
Supplier Device-Gehäuse | 153-WFBGA (11x10) | |
Serie | e•MMC™ | |
Verpackung | Tray | |
Verpackung / Gehäuse | 153-WFBGA | |
Andere Namen | THGBMDG5D1LBAITH2J THGBMDG5D1LBAITJ2J THGBMDG5D1LBAITYMJ THGBMDG5D1LBAITYNJ THGBMDG5D1LBAITYXJ THGBMNG5D1LBAIT |
|
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
---|---|---|
Befestigungsart | Surface Mount | |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | |
Speichertyp | Non-Volatile | |
Speichergröße | 32Gb (4G x 8) | |
Speicherschnittstelle | MMC | |
Speicherformat | FLASH | |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11x10) | |
Uhrfrequenz | 52MHz |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Memory America, Inc. THGBMDG5D1LBAIT.
Produkteigenschaften | ||||
---|---|---|---|---|
Artikelnummer | THGBMDG5D1LBAIT | THGBMFG8C2LBAIL | THGBMFG7C1LBAIL | THGBMFG6C1LBAIL |
Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. | Kioxia America, Inc. | Kioxia America, Inc. | Kioxia America, Inc. |
Andere Namen | THGBMDG5D1LBAITH2J THGBMDG5D1LBAITJ2J THGBMDG5D1LBAITYMJ THGBMDG5D1LBAITYNJ THGBMDG5D1LBAITYXJ THGBMNG5D1LBAIT |
- | - | - |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | - | - | - |
Speichertyp | Non-Volatile | - | - | - |
Supplier Device-Gehäuse | 153-WFBGA (11x10) | 153-FBGA (11.5x13) | 153-FBGA (11.5x13) | 153-FBGA (11.5x13) |
Speicherformat | FLASH | - | - | - |
Verpackung / Gehäuse | 153-WFBGA | - | - | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | - |
Technologie | FLASH - NAND | - | - | - |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11x10) | - | - | - |
Serie | e•MMC™ | - | - | - |
Verpackung | Tray | - | - | - |
Speicherschnittstelle | MMC | - | - | - |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V | - | - | - |
Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Speichergröße | 32Gb (4G x 8) | - | - | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | - | - | - |
Uhrfrequenz | 52MHz | - | - | - |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Laden Sie THGBMDG5D1LBAIT PDF -Datenblätter und Toshiba Memory America, Inc. -Dokumentation für THGBMDG5D1LBAIT - Toshiba Memory America, Inc. herunter.
Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
---|---|---|
Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
Brasilien | 7 | |
Europa | Deutschland | 5 |
Großbritannien | 4 | |
Italien | 5 | |
Ozeanien | Australien | 6 |
Neuseeland | 5 | |
Asien | Indien | 4 |
Japan | 4 | |
Naher Osten | Israel | 6 |
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
---|---|
Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.