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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SAR522EBTL
Rohm Semiconductor
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2SAR522EBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SAR522EBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SAR522EBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 812300

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Anzahl

Spezifikation

2SAR522EBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SAR522EBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SAR522EBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Leistung - max 150 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 350MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer 2SAR522  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SAR522EBTL.

Produkteigenschaften 2SAR522EBTL 2SAR523UBTL 2SAR523MT2L 2SAR522MT2L
Artikelnummer 2SAR522EBTL 2SAR523UBTL 2SAR523MT2L 2SAR522MT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 10mA, 100mA
Leistung - max 150 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 100 mA 100 mA 200 mA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Grundproduktnummer 2SAR522 2SAR523 2SAR523 2SAR522
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) UMT3F VMT3 VMT3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 2V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 2V
Frequenz - Übergang 350MHz 300MHz 300MHz 350MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 50 V 50 V 20 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-85 SOT-723 SOT-723

2SAR522EBTL Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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