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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SB1132T100R
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SB1132T100R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SB1132T100R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SB1132T100R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 32V 1A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SB1132,2SA1515S,2SB1237.pdf
RoHS Status
vorrätig: 135100

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Anzahl

Spezifikation

2SB1132T100R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SB1132T100R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SB1132T100R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 100mA, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2SB1132  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SB1132T100R.

Produkteigenschaften 2SB1132T100R 2SB1132T100Q 2SB1134R 2SB1132T100P
Artikelnummer 2SB1132T100R 2SB1132T100Q 2SB1134R 2SB1132T100P
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Serie - - * -
Frequenz - Übergang 150MHz 150MHz - 150MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 1 A - 1 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 100mA, 3V 120 @ 100mA, 3V - 82 @ 100mA, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) - 500nA (ICBO)
Grundproduktnummer 2SB1132 2SB1132 - 2SB1132
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V 32 V - 32 V
Leistung - max 2 W 2 W - 2 W
Transistor-Typ PNP PNP - PNP
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA - 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 - MPT3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA - TO-243AA

2SB1132T100R Datenblatt PDF

Laden Sie 2SB1132T100R PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SB1132T100R - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf
Datenblätter
2SB1132,2SA1515S,2SB1237.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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