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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SB1412TLQ
2SB1412TLQ Image
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2SB1412TLQ - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SB1412TLQ
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SB1412TLQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 5A SOT-428
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
2SB1386/1412/1326.pdf
RoHS Status
vorrätig: 102450

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Spezifikation

2SB1412TLQ Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SB1412TLQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SB1412TLQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 4A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Leistung - max 10 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 120MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A  
Grundproduktnummer 2SB1412  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SB1412TLQ.

Produkteigenschaften 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB1412TLP 2SB1424 AER
Artikelnummer 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB1412TLP 2SB1424 AER
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Frequenz - Übergang 120MHz 120MHz 120MHz -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Transistor-Typ PNP PNP PNP -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 500mA, 2V 180 @ 500mA, 2V 82 @ 500mA, 2V -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 4A 1V @ 100mA, 4A 1V @ 100mA, 4A -
Supplier Device-Gehäuse CPT3 CPT3 CPT3 -
Grundproduktnummer 2SB1412 2SB1412 2SB1412 -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 20 V 20 V -
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Leistung - max 10 W 1 W 1 W -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A 5 A 5 A -

2SB1412TLQ Datenblatt PDF

Laden Sie 2SB1412TLQ PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SB1412TLQ - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
2SB1386/1412/1326.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2SB1412TLQ

Rohm Semiconductor
32D-2SB1412TLQ

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