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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SB1707TL
Rohm Semiconductor
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2SB1707TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SB1707TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SB1707TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 12V 4A TSMT3
Verpackung
SC-96
Datenblatt
2SB1707TL.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 87410

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Spezifikation

2SB1707TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SB1707TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SB1707TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 40mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TSMT3  
Serie -  
Leistung - max 500 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-96  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 200mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A  
Grundproduktnummer 2SB1707  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SB1707TL.

Produkteigenschaften 2SB1707TL 2SB1709TL 2SB1708TL 2SB1698T100
Artikelnummer 2SB1707TL 2SB1709TL 2SB1708TL 2SB1698T100
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-96 SC-96 SC-96 TO-243AA
Leistung - max 500 mW 500 mW 500 mW 2 W
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse TSMT3 TSMT3 TSMT3 MPT3
Frequenz - Übergang 250MHz 400MHz 200MHz 280MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 40mA, 2A 200mV @ 25mA, 500mA 250mV @ 30mA, 1.5A 370mV @ 50mA, 1A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer 2SB1707 2SB1709 2SB1708 2SB1698
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V 12 V 30 V 30 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A 1.5 A 3 A 1.5 A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 200mA, 2V 270 @ 200mA, 2V 270 @ 200mA, 2V 270 @ 100mA, 2V

2SB1707TL Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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