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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SC5658T2LQ
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SC5658T2LQ - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SC5658T2LQ
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SC5658T2LQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
2SC5658T2LQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 536300

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Anzahl

Spezifikation

2SC5658T2LQ Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SC5658T2LQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SC5658T2LQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Leistung - max 150 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA  
Grundproduktnummer 2SC5658  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SC5658T2LQ.

Produkteigenschaften 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5661T2LP
Artikelnummer 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5661T2LP
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 82 @ 10mA, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 4mA, 20mA
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 20 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100µA (ICBO) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Frequenz - Übergang 180MHz 180MHz 180MHz 1.5GHz
Supplier Device-Gehäuse VMT3 VMT3 VMT3 VMT3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA 150 mA 150 mA 50 mA
Serie - - - -
Grundproduktnummer 2SC5658 2SC5658 2SC5658 2SC5661
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SOT-723 SOT-723 SOT-723

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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2SC5658T2LQ

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