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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR293P5T100
Rohm Semiconductor
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2SCR293P5T100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR293P5T100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR293P5T100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 1A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 200600

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Anzahl

Spezifikation

2SCR293P5T100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR293P5T100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR293P5T100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 500 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 320MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2SCR293  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR293P5T100.

Produkteigenschaften 2SCR293P5T100 2SCR372P5T100Q 2SCR293PT100 2SCR372PGZET100Q
Artikelnummer 2SCR293P5T100 2SCR372P5T100Q 2SCR293PT100 2SCR372PGZET100Q
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 MPT3 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA 300mV @ 50mA, 500mA 350mV @ 25mA, 500mA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 700 mA 1 A -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Leistung - max 500 mW 500 mW 2 W -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 120 V 30 V -
Grundproduktnummer 2SCR293 2SCR372 2SCR293 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO) -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V 120 @ 100mA, 5V 270 @ 100mA, 2V -
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-243AA -
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 320MHz 220MHz 320MHz -

2SCR293P5T100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR293P5T100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR293P5T100 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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