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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SCR542PT100
Rohm Semiconductor
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2SCR542PT100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SCR542PT100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SCR542PT100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 5A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85490

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Anzahl

Spezifikation

2SCR542PT100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SCR542PT100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SCR542PT100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A  
Grundproduktnummer 2SCR542  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SCR542PT100.

Produkteigenschaften 2SCR542PT100 2SCR543RTL 2SCR544PT100 2SCR544R
Artikelnummer 2SCR542PT100 2SCR543RTL 2SCR544PT100 2SCR544R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Diotec Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A 3 A 2.5 A 2.5 A
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 50 V 80 V 80 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 500mA, 2V 180 @ 100mA, 3V 120 @ 100mA, 3V 120 @ 100mA, 3V
Frequenz - Übergang 250MHz 300MHz 280MHz 280MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 2 W 1 W 2 W 500 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO)
Grundproduktnummer 2SCR542 2SCR543 2SCR544 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A 350mV @ 100mA, 2A 300mV @ 50mA, 1A 300mV @ 50mA, 1A
Supplier Device-Gehäuse MPT3 TSMT3 MPT3 SOT-23-3 (TO-236)
Verpackung / Gehäuse TO-243AA SC-96 TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2SCR542PT100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SCR542PT100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SCR542PT100 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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