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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD1759TL
2SD1759TL Image
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2SD1759TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SD1759TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SD1759TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 40V 2A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
2SD1759, 2SD1861.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62630

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Spezifikation

2SD1759TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SD1759TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SD1759TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.2mA, 600mA  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 500mA, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer 2SD1759  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SD1759TL.

Produkteigenschaften 2SD1759TL 2SD1758TLQ 2SD1758TLR 2SD1759/TR
Artikelnummer 2SD1759TL 2SD1758TLQ 2SD1758TLR 2SD1759/TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Grundproduktnummer 2SD1759 2SD1758 2SD1758 -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN NPN -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 32 V 32 V -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.2mA, 600mA 800mV @ 200mA, 2A 800mV @ 200mA, 2A -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A -
Supplier Device-Gehäuse CPT3 CPT3 CPT3 -
Frequenz - Übergang 150MHz 100MHz 100MHz -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 500mA, 3V 120 @ 500mA, 3V 180 @ 500mA, 3V -
Leistung - max 1 W 10 W 10 W -

2SD1759TL Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD1759TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SD1759TL - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
2SD1759, 2SD1861.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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2SD1759TL

Rohm Semiconductor
32D-2SD1759TL

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