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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD1963T100S
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SD1963T100S - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SD1963T100S
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SD1963T100S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 20V 3A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SD1963.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5280

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Anzahl

Spezifikation

2SD1963T100S Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SD1963T100S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SD1963T100S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 150mA, 1.5A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2SD1963  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SD1963T100S.

Produkteigenschaften 2SD1963T100S 2SD1963 T100R 2SD1960 2SD1963R
Artikelnummer 2SD1963T100S 2SD1963 T100R 2SD1960 2SD1963R
Hersteller Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology SIPUSEMI
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 500mA, 2V - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 150mA, 1.5A - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) - - -
Transistor-Typ NPN - - -
Leistung - max 2 W - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A - - -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA - - -
Grundproduktnummer 2SD1963 - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Supplier Device-Gehäuse MPT3 - - -
Frequenz - Übergang 150MHz - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -

2SD1963T100S Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD1963T100S PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SD1963T100S - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf
Datenblätter
2SD1963.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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2SD1963T100S

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