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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD2170T100
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SD2170T100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SD2170T100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SD2170T100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 90V 2A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SD2170T100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5170

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Anzahl

Spezifikation

2SD2170T100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SD2170T100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SD2170T100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 90 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 80MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer 2SD2170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SD2170T100.

Produkteigenschaften 2SD2170T100 2SD2167T100P 2SD2176-TD-E 2SD2185-R
Artikelnummer 2SD2170T100 2SD2167T100P 2SD2176-TD-E 2SD2185-R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Panasonic
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A - -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA - -
Frequenz - Übergang 80MHz 100MHz - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) 1µA (ICBO) - -
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 1A, 2V 82 @ 500mA, 3V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 90 V 31 V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A 1V @ 200mA, 2A - -
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - -
Grundproduktnummer 2SD2170 2SD2167 - -
Serie - - * -
Leistung - max 2 W 2 W - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -

2SD2170T100 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD2170T100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SD2170T100 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_Transistor_7207_26/Jun/2014.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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2SD2170T100

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