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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD2318TLV
2SD2318TLV Image
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2SD2318TLV - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SD2318TLV
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SD2318TLV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 3A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
2SD2318.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67280

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Anzahl

Spezifikation

2SD2318TLV Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SD2318TLV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SD2318TLV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Leistung - max 15 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 560 @ 500mA, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2SD2318  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SD2318TLV.

Produkteigenschaften 2SD2318TLV 2SD2324-TB-E 2SD2345GSL 2SD2318
Artikelnummer 2SD2318TLV 2SD2324-TB-E 2SD2345GSL 2SD2318
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Panasonic Electronic Components RHMO
Grundproduktnummer 2SD2318 - 2SD2345 -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 125°C (TJ) -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) - 1µA -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 560 @ 500mA, 4V - 600 @ 2mA, 10V -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - SC-89, SOT-490 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V - 40 V -
Leistung - max 15 W - 125 mW -
Supplier Device-Gehäuse CPT3 - SSMini3-F3 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A - 50 mA -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 2A - 200mV @ 1mA, 10mA -
Transistor-Typ NPN - NPN -
Frequenz - Übergang 50MHz - 120MHz -
Serie - * - -

2SD2318TLV Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD2318TLV PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SD2318TLV - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
2SD2318.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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2SD2318TLV

Rohm Semiconductor
32D-2SD2318TLV

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