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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK2731T146
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SK2731T146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SK2731T146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SK2731T146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
2SK2731.pdf
RoHS Status
vorrätig: 334130

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Spezifikation

2SK2731T146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SK2731T146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SK2731T146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 100mA, 10V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK2731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SK2731T146.

Produkteigenschaften 2SK2731T146 2SK2736-E 2SK2738 2SK2731FST146
Artikelnummer 2SK2731T146 2SK2736-E 2SK2738 2SK2731FST146
Hersteller Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc VBSEMI LAPIS Technology
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk - -
Grundproduktnummer 2SK2731 - - -
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 100mA, 10V - - -
Supplier Device-Gehäuse SMT3 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Typ FET N-Channel - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Serie - * - -

2SK2731T146 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK2731T146 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SK2731T146 - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
2SK2731.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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