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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK2887TL
2SK2887TL Image
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2SK2887TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SK2887TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SK2887TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
2SK2887.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4720

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Anzahl

Spezifikation

2SK2887TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SK2887TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SK2887TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK2887  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SK2887TL.

Produkteigenschaften 2SK2887TL 2SK2897-01 MOS 2SK2885A 2SK2895-01
Artikelnummer 2SK2887TL 2SK2897-01 MOS 2SK2885A 2SK2895-01
Hersteller Rohm Semiconductor Fujitsu Electronics America, Inc. HITACHI FUJI
Typ FET N-Channel - - -
Grundproduktnummer 2SK2887 - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Supplier Device-Gehäuse CPT3 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Verlustleistung (max) 20W (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V - - -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -

2SK2887TL Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK2887TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für 2SK2887TL - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
2SK2887.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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2SK2887TL

Rohm Semiconductor
32D-2SK2887TL

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