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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK3019TL
2SK3019TL Image
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2SK3019TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2SK3019TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2SK3019TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
2SK3019.pdf
RoHS Status
vorrätig: 520450

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Spezifikation

2SK3019TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SK3019TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SK3019TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK3019  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SK3019TL.

Produkteigenschaften 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Artikelnummer 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Hersteller Rohm Semiconductor Micro Commercial Co Panasonic Electronic Components LAPIS Technology
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V 8Ohm @ 10mA, 4.5V 130mOhm @ 3A, 10V -
Grundproduktnummer 2SK3019 2SK3019 - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V 13 pF @ 5 V 220 pF @ 10 V -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW 1W (Ta), 10W (Tc) -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V 4.5V 4V, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V -
Supplier Device-Gehäuse EMT3 SOT-523 U-G2 -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-523 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 100mA 5A (Tc) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 100µA 2.5V @ 1mA -

2SK3019TL Datenblatt PDF

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Datenblätter
2SK3019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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