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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC848BHZGT116
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BC848BHZGT116 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
BC848BHZGT116
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-BC848BHZGT116
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 0.1A SST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1010800

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Spezifikation

BC848BHZGT116 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - BC848BHZGT116 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - BC848BHZGT116

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC848  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor BC848BHZGT116.

Produkteigenschaften BC848BHZGT116 BC848BMTF BC848BPDW1T1 BC848BT116
Artikelnummer BC848BHZGT116 BC848BMTF BC848BPDW1T1 BC848BT116
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi onsemi Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer BC848 - - BC848
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 15nA (ICBO) - 100nA (ICBO)
Serie Automotive, AEC-Q101 - * -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V - 30 V
Transistor-Typ NPN NPN - NPN
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Leistung - max 200 mW 310 mW - 350 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA - 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device-Gehäuse SST3 SOT-23-3 - SST3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA - 100 mA
Frequenz - Übergang 200MHz 300MHz - 200MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V - 200 @ 2mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)

BC848BHZGT116 Datenblatt PDF

Laden Sie BC848BHZGT116 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für BC848BHZGT116 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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