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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC857BT116
Rohm Semiconductor
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BC857BT116 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
BC857BT116
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-BC857BT116
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 45V 0.1A SST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 571500

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Anzahl

Spezifikation

BC857BT116 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - BC857BT116 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - BC857BT116

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 210 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor BC857BT116.

Produkteigenschaften BC857BT116 BC857BW BC857BT-7-F BC857BTT1G
Artikelnummer BC857BT116 BC857BW BC857BT-7-F BC857BTT1G
Hersteller Rohm Semiconductor Diotec Semiconductor Diodes Incorporated onsemi
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer BC857 BC857 BC857 BC857
Supplier Device-Gehäuse SST3 SOT-323 SOT-523 SC-75, SOT-416
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 210 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Leistung - max 350 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Frequenz - Übergang 250MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SOT-523 SC-75, SOT-416
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BC857BT116 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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