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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA113ZETL
Rohm Semiconductor
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DTA113ZETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA113ZETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA113ZETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 287750

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Anzahl

Spezifikation

DTA113ZETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA113ZETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA113ZETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA113ZETL.

Produkteigenschaften DTA113ZETL DTA044EUBTL DTA113ZKAT146 DTA113TKAT146
Artikelnummer DTA113ZETL DTA044EUBTL DTA113ZKAT146 DTA113TKAT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms 47 kOhms 1 kOhms 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 47 kOhms 10 kOhms -
Supplier Device-Gehäuse EMT3 UMT3F SMT3 SMT3
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 30 mA 100 mA 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - 500nA 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-85 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 33 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Grundproduktnummer DTA113 DTA044 DTA113 DTA113
Leistung - max 150 mW 150 mW 200 mW 200 mW

DTA113ZETL Datenblatt PDF

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Datenblätter
DTA114EEFRA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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