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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA114EUBTL
Rohm Semiconductor
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DTA114EUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA114EUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA114EUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4680

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Anzahl

Spezifikation

DTA114EUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA114EUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA114EUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA  
Grundproduktnummer DTA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA114EUBTL.

Produkteigenschaften DTA114EUBTL DTA114GKAT146 DTA114EUBHZGTL DTA114EUAT106
Artikelnummer DTA114EUBTL DTA114GKAT146 DTA114EUBHZGTL DTA114EUAT106
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Grundproduktnummer DTA114 DTA114 DTA114 DTA114
Supplier Device-Gehäuse UMT3F SMT3 UMT3F UMT3
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms - 10 kOhms 10 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-85 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-85 SC-70, SOT-323
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) - 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA 100 mA 100 mA 50 mA
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - 50 V
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased

DTA114EUBTL Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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