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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA114YKAT146
Rohm Semiconductor
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DTA114YKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA114YKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA114YKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 808000

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Anzahl

Spezifikation

DTA114YKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA114YKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA114YKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA114YKAT146.

Produkteigenschaften DTA114YKAT146 DTA114YM3T5G DTA114YET1 DTA114YMT2L
Artikelnummer DTA114YKAT146 DTA114YM3T5G DTA114YET1 DTA114YMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi onsemi Rohm Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Frequenz - Übergang 250 MHz - - 250 MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SOT-723 SC-75, SOT-416 VMT3
Leistung - max 200 mW 260 mW 200 mW 150 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 47 kOhms 47 kOhms
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V
Grundproduktnummer DTA114 DTA114 DTA114 DTA114
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-723 SC-75, SOT-416 SOT-723
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA

DTA114YKAT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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