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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA115EMT2L
Rohm Semiconductor
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DTA115EMT2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA115EMT2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA115EMT2L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
DTA115EMT2L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 762200

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Anzahl

Spezifikation

DTA115EMT2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA115EMT2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA115EMT2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA  
Grundproduktnummer DTA115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA115EMT2L.

Produkteigenschaften DTA115EMT2L DTA115GUAT106 DTA115EETL DTA115EET1G
Artikelnummer DTA115EMT2L DTA115GUAT106 DTA115EETL DTA115EET1G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Leistung - max 150 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Grundproduktnummer DTA115 DTA115 DTA115 DTA115
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA 100 mA 20 mA 100 mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SC-70, SOT-323 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms - 100 kOhms 100 kOhms
Supplier Device-Gehäuse VMT3 UMT3 EMT3 SC-75, SOT-416
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) 500nA 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased

DTA115EMT2L Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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