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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA123EKAT146
Rohm Semiconductor
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DTA123EKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA123EKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA123EKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 484250

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Spezifikation

DTA123EKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA123EKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA123EKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 20mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA123  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA123EKAT146.

Produkteigenschaften DTA123EKAT146 DTA123ECAT116 DTA123JE DTA123JCA
Artikelnummer DTA123EKAT146 DTA123ECAT116 DTA123JE DTA123JCA
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology Yangjie Technology
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Grundproduktnummer DTA123 DTA123 DTA123 DTA123
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA 500nA
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SST3 SOT-523 SOT-23
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 20mA, 5V 20 @ 20mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Leistung - max 200 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA

DTA123EKAT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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