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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA123JKAT146
Rohm Semiconductor
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DTA123JKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA123JKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA123JKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 683050

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Anzahl

Spezifikation

DTA123JKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA123JKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA123JKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA123JKAT146.

Produkteigenschaften DTA123JKAT146 DTA123JETL DTA123JET1 DTA123JET1G
Artikelnummer DTA123JKAT146 DTA123JETL DTA123JET1 DTA123JET1G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi onsemi
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Grundproduktnummer DTA123 DTA123 DTA123 DTA123
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 47 kOhms 47 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - -
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Supplier Device-Gehäuse SMT3 EMT3 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 200 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms

DTA123JKAT146 Datenblatt PDF

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SMT3 T146 Taping Spec.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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