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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA123YEBTL
Rohm Semiconductor
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DTA123YEBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA123YEBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA123YEBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
DTA123YEBTL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 805850

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Anzahl

Spezifikation

DTA123YEBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA123YEBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA123YEBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA123YEBTL.

Produkteigenschaften DTA123YEBTL DTA123YETL DTA123TET1G DTA123JUBTL
Artikelnummer DTA123YEBTL DTA123YETL DTA123TET1G DTA123JUBTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V 33 @ 10mA, 5V 160 @ 5mA, 10V 80 @ 10mA, 5V
Leistung - max 150 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms - 47 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Grundproduktnummer DTA123 DTA123 DTA123 DTA123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-85
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - 250 MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse UMT3F EMT3 SC-75, SOT-416 UMT3F

DTA123YEBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTA123YEBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTA123YEBTL - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 01/Feb/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

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