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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA123YUAT106
Rohm Semiconductor
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DTA123YUAT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA123YUAT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA123YUAT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 859650

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Anzahl

Spezifikation

DTA123YUAT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA123YUAT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA123YUAT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA123YUAT106.

Produkteigenschaften DTA123YUAT106 DTA124EEBTL DTA123YKAT146 DTA124ECA
Artikelnummer DTA123YUAT106 DTA124EEBTL DTA123YKAT146 DTA124ECA
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Leistung - max 200 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 22 kOhms 10 kOhms 22 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundproduktnummer DTA123 DTA124 DTA123 DTA124
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 22 kOhms 2.2 kOhms 22 kOhms
Supplier Device-Gehäuse UMT3 EMT3 SMT3 SOT-23
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 30 mA 100 mA 100 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500nA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 33 @ 10mA, 5V 56 @ 10mA, 5V

DTA123YUAT106 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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