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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB113EKT146
Rohm Semiconductor
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DTB113EKT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB113EKT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB113EKT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 364750

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Anzahl

Spezifikation

DTB113EKT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB113EKT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB113EKT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTB113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB113EKT146.

Produkteigenschaften DTB113EKT146 DTB113ZKT146 DTB114EKT146 DTB114EL
Artikelnummer DTB113EKT146 DTB113ZKT146 DTB114EKT146 DTB114EL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor UNISONIC
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms 1 kOhms 10 kOhms -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased -
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SMT3 SMT3 -
Grundproduktnummer DTB113 DTB113 DTB114 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz -
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA -

DTB113EKT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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