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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC013ZEBTL
Rohm Semiconductor
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DTC013ZEBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC013ZEBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC013ZEBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.15W SC89
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 865950

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Anzahl

Spezifikation

DTC013ZEBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC013ZEBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC013ZEBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC013  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC013ZEBTL.

Produkteigenschaften DTC013ZEBTL DTC014EUBTL DTC014TUBTL DTC013ZMT2L
Artikelnummer DTC013ZEBTL DTC014EUBTL DTC014TUBTL DTC013ZMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-85 SC-85 SOT-723
Grundproduktnummer DTC013 DTC014 DTC014 DTC013
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms - 10 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) UMT3F UMT3F VMT3
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - 500nA (ICBO) 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 100 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Leistung - max 150 mW 200 mW 200 mW 150 mW
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 1 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 50 mA 100 mA 100 mA

DTC013ZEBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTC013ZEBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC013ZEBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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