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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114TKAT146
Rohm Semiconductor
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DTC114TKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114TKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114TKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 656650

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Anzahl

Spezifikation

DTC114TKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114TKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114TKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114TKAT146.

Produkteigenschaften DTC114TKAT146 DTC114TETL DTC114TET1G DTC114TET1
Artikelnummer DTC114TKAT146 DTC114TETL DTC114TET1G DTC114TET1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi onsemi
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - -
Leistung - max 200 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA 500nA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 160 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SMT3 EMT3 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114

DTC114TKAT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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